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Artigo de periodico
Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured 'Z IND.n' O (2010)
Podila, R; Queen, W; Nath, A; Arantes, Jeferson T; Schoenhalz, A L; Fazzio, Adalberto; Dalpian, G M; He, J; Hwu, Shiou J; Skove, Malcolm J; Rao, Apparao M
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
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ABNT
PODILA, R et al. Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured 'Z IND.n' O. Nano Letters, v. 10, n. 4, 2010Tradução . . Disponível em: http://link.periodicos.capes.gov.br/sfxlcl3?url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_ver=Z39.88-2004&rfr_id=info:sid/sfxit.com:azlist&sfx.ignore_date_threshold=1&rft.object_id=110978984570403&svc.fulltext=yes. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Podila, R., Queen, W., Nath, A., Arantes, J. T., Schoenhalz, A. L., Fazzio, A., et al. (2010). Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured 'Z IND.n' O. Nano Letters, 10( 4). Recuperado de http://link.periodicos.capes.gov.br/sfxlcl3?url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_ver=Z39.88-2004&rfr_id=info:sid/sfxit.com:azlist&sfx.ignore_date_threshold=1&rft.object_id=110978984570403&svc.fulltext=yes
NLM
Podila R, Queen W, Nath A, Arantes JT, Schoenhalz AL, Fazzio A, Dalpian GM, He J, Hwu SJ, Skove MJ, Rao AM. Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured 'Z IND.n' O [Internet]. Nano Letters. 2010 ;10( 4):[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://link.periodicos.capes.gov.br/sfxlcl3?url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_ver=Z39.88-2004&rfr_id=info:sid/sfxit.com:azlist&sfx.ignore_date_threshold=1&rft.object_id=110978984570403&svc.fulltext=yes
Vancouver
Podila R, Queen W, Nath A, Arantes JT, Schoenhalz AL, Fazzio A, Dalpian GM, He J, Hwu SJ, Skove MJ, Rao AM. Origin of FM Ordering in Pristine Micro- and Nanostructured 'Z IND.n' O [Internet]. Nano Letters. 2010 ;10( 4):[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://link.periodicos.capes.gov.br/sfxlcl3?url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_ver=Z39.88-2004&rfr_id=info:sid/sfxit.com:azlist&sfx.ignore_date_threshold=1&rft.object_id=110978984570403&svc.fulltext=yes
Relatorio tecnico
Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures (2009)
Schoenhalz, A L; Arantes, José Tadeu; Fazzio, Adalberto; Dalpian, G M
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
SCHOENHALZ, A L et al. Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/arxiv/pdf/0904/0904.4147v1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024. , 2009
APA
Schoenhalz, A. L., Arantes, J. T., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/arxiv/pdf/0904/0904.4147v1.pdf
NLM
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/arxiv/pdf/0904/0904.4147v1.pdf
Vancouver
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface magnetization in non-doped ZnO nanostructures [Internet]. 2009 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/arxiv/pdf/0904/0904.4147v1.pdf
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor (2003)
Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
DALPIAN, G M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor. Physical Review B, v. 68, n. 11, p. 113310/1-113310/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor. Physical Review B, 68( 11), 113310/1-113310/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 11): 113310/1-113310/4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a possible 'Mn IND. x''Si IND. 1-x' ferromagnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 11): 113310/1-113310/4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011113310000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, v. 65, n. 19, p. 193306/1-193306/ , 2002Tradução . . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B, 65( 19), 193306/1-193306/ .
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Physical Review B. 2002 ; 65( 19): 193306/1-193306/ .[citado 2024 abr. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Artigo de periodico
Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) (2001)
Dalpian, G M; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA DE SUPERFÍCIE, QUÍMICA QUÂNTICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G M e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, v. 482, p. 507-511, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, 482, 507-511. doi:10.1016/s0039-6028(00)01012-8
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Artigo de periodico
Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Dalpian, G M; Janotti, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DINÂMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 6104/1-6104/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Dalpian, G. M., Janotti, A., & Fazzio, A. (2001). Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, 87( 3), 6104/1-6104/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
NLM
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips

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